1、在操作过程中，控制结晶器的过饱和度位于稳定区。混合对过饱和度和晶核的形成有重要影响，是晶体设计的基础。

  2、优化结晶器搅拌能量的输入。这一过程产生的过饱和度被晶体的生长消耗到达状态，从而完成循环。如果一个周期中的过饱和度没有完全消耗，下一个周期将进一步饱和。一段时间后，整个周期将远离甚至高于稳定区，这将对晶体的生长和核心产生不利影响。因此，为过饱和的液体提供足够的晶体表面非常重要。否则，晶粒的形状会被破坏。

  3、选择合适的过饱和度，使晶核生长速率较大。